而且，还有那个eda工具，杨小乐也准备抽时间把它研发出来，虽然，这个技术是在前世90年代之后，随着计算机技术的飞跃式的发展，以计算机为工具，设计者在eda软件平台上，用硬件描述语言vhdl完成设计文件，然后由计算机自动地完成逻辑编译、化简、分割、综合、优化、布局、布线和仿真，直至对于特定目标芯片的适配编译、逻辑映射和编程下载等工作。

     eda技术的出现，极大地提高了电路设计的效率和可操作性，减轻了设计者的劳动强度。

     要不是，今天突然看到那本讲dna的书籍而脑洞打开，红袖添香的舒适的生活，差点就让杨小乐忘记了还有这么些个大杀器。

     可是，现在的光刻机的水平，还无法制造功能完善的大规模集成电路，就更别说超大规模的集成电路了，那么短时间内，这个听觉系统是无法进行研发了，除非光刻机的技术能突然地更近一步。

     然而，就算在隔几年光刻机支持比较简单的dsp和fpga生产了，那么还有一个问题无法避免，那就是作为存储系统和语音字库的flash芯片还没有问世，就连容量超过1m的ram都还要等几年由西门子从日本公司购买专利权之后才会面世。

     怎么办？是按部就班地等这些芯片按照历史的走向，自动出现之后再开始研发？还是自力更生呢？ 这是一个十分重要的问题！ 杨小乐需要从自己的记忆里寻找答案，看这个闪存的收益是否值得去投入和研发，虽然，它很重要。

     flash闪存分为nor型与nand型两种闪存。

     在1984年，东芝公司的发明人fujiomasuoka首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。

    与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性（也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失），其记录速度也非常快。

     intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。

    1988年，公司推出了一款256kbit闪存芯片。

    它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。

    后来，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。

    它结合eprom（可擦除可编程只读存储器）和eeprom（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个sram接口。

     第二种闪存称为nand闪存。

    它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。

    nand闪存的写周期比nor闪存短十倍，它的保存与删除处理的速度也相对较快。

     nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了更好的性能。

    鉴于nand出色的表现，它常常被应用于诸如pactflash、smartmedia、sd、mmc、xd、ards、usbsticks等存储卡上。

     闪存的市场主要有三星、日立、spansion和intel是这个市场的四大生产商。

     杨小乐记得自己在04年的时候，无意中看到了一篇报道，说04年全球的闪存收益将达到166亿美元，比20